Науковий внесок Вадима Євгеновича Лашкарьова у розвиток фізики і техніки напівпровідників (до 120-річчя від дня народження)
DOI:
https://doi.org/10.15407/sofs2023.03.166Ключові слова:
В.Є. Лашкарьов, дифракція електронів, p-n перехід, фізика і техніка напівпровідників, Інститут напівпровідників АН УРСРАнотація
Стаття присвячена дослідженню та популяризації життєвого і творчого шляху дійсного члена Академії наук УРСР Вадима Євгеновича Лашкарьова, видатного українського вченого у галузі фізики і техніки напівпровідників. Її мета — показати видатні успіхи В.Є. Лашкарьова в науковій, технічній та науково-організаційній діяльності на території України. Джерельну базу дослідження склали наукові публікації вченого, його колег і учнів у галузі фізики дифракції електронів, фотоелектричних явищ, фізики росту монокристалічних напівпровідників, вивчення транспорту носіїв заряду в напівпровідниках p- та n- типу. В основу методології дослідження покладено принципи історизму, об’єктивності та достовірності; використано спеціальні історичні методи: класифікації, синтезу, аналізу, проблемно-хронологічний, порівняльно-історичний. Показано, що наукова діяльність В.Є. Лашкарьова складалась із чотирьох основних періодів: перший період — становлення творчого потенціалу (1924—1935), другий — випробування під час архангельського заслання (1935—1939), третій — досягнення творчої зрілості (1939—1944) та четвертий — творчий розвиток і створення інтелектуальної спадщини (1945—1970). Наведено результати наукометричного аналізу профілю В.Є. Лашкарьова в базі даних Web of Science, зокрема дані щодо цитування його статей в останні роки, які свідчать, що праці вченого залишаються актуальними і сьогодні. Розкрито роль ученого у створенні Інституту напівпровідників АН УРСР та утвердженні демократичних засад управління установою, яких дотримуються його послідовники й донині. Показано, що видатні лідерські та організаторські риси дали В.Є. Лашкарьову змогу закласти основи власної інтелектуальної спадщини в Києві в 40—70-х роках минулого століття: 1) наукову школу теоретичної та експериментальної фізики напівпровідників; 2) кафедру фізики напівпровідників Київського університету імені Т.Г. Шевченка; 3) Інститут напівпровідників АН УРСР.
Посилання
Lashkarev, V. (1941). Follow-up of the locking ball by the thermoprobe method. Vіdomostі AN SRSR. Ser. Physics, 5, 4—5, 442—456 [in Russian].
Lashkarev, V. (1941). Investigation of the barrier layer. J. of Phys. USSR, 4 (1—2), 172—173 [in Russian].
Bardeen, J., & Brattain, W.H. (1948). The transistor, a semi-conductor triode. Phys. Rev., 74, 230—231. https://doi.org/10.1103/PhysRev.74.230
Brattain, W.H., & Bardeen, J. (1948). Nature of the Forward Current in Germanium Point Contacts. Phys. Rev., 74, 231—232. https://doi.org/10.1103/PhysRev.74.231
Shockley, W. (1949). The Theory of p-n Junctions in Semiconductors and p-n Junction Transistors. Bell Labs Technical Journal, 28 (3), 435—489. https://doi.org/10.1002/j.1538-7305.1949.tb03645.x
Grigoryev M.M., Kravetskii, M.Yu, Matiyuk, I.M., Onyshchenko, V.F., Sukach, A.V., & Tetyorkin, V.V. (2019). Academician O.G. Goldman — the founder of semiconductor physics and technology in Ukraine (Review. Part I). Optoelectron. Semicond. Tech. 54, 5—50. https://doi.org/10.15407/iopt.2019.54.005 [in Ukrainian].
Grigoryev, M.M., Kravetskii, M.Yu., Matiyuk, I.M., Onyschenko, V.F., Sukach, A.V. & Tetyorkin, V.V. (2020). Academician O.G. Goldman in exile. The long and difficult way to return to Ukraine (Review. Part II). Optoelectron. Semicond. Tech. 55, 9—57. https://doi.org/10.15407/iopt.2020.55.009 [in Ukrainian].
Len, A.Ye. (2010). Vadim Yevgeniyevich Lashkaryov: Th e First Director of the Institute for Semiconductor Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine. Kyiv [in Russian].
Belyaev, O.E., Kladko, V.P., Smertenko, P.S., Solntsev, V.S., Kinko, T.A., & Kyyak, Yu.P. (Eds.) (2020). V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine 1960—2020. Kyiv: Akademperiodika. https://doi.org/10.15407/akademperiodyka.413.290 [in Ukrainian].
Machulin, V. (2010). Semiconductor in all dimensions (50 anniversary of V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine). Visn. Nac. Akad. Nauk Ukr., 10, 42—46. URL: http://visnyk-nanu.org.ua/uk/node/2027 [in Ukrainian].
Bogolyubov, N.N., Vul, B.M., Kalashnikov, S.G., Pekar, S.І., Rashba, Е.І., & Snitko, О.V. (1975). In memory of Vadim Yevgeniyevich Lashkaryov. Uspekhi Fizicheskikh Nauk, 117 (2), 377—378. https://doi.org/10.3367/UFNr.0117.197510g.0377 [in Russian].
Amosov, N.M. (1998). Voices of time. 1937. Professor Lashkaryov. “Another physics”. Kiev: Oranta-Pres [in Russian].
Malinovskiy, B. (2001). The known and the unknown in the history of information technologies. Visn. Nac. Akad. Nauk Ukr., 1, 40—54 [in Ukrainian].
Andreeva, A.V., & Andreev, K.V. (2013). 110 years since the birthday of Academician Vadim Yevgeniyevich Lashkaryov (1903—1974). Anniversary and commemorative dates in the medical and health care sector in the Arkhangelsk region for 2013. Arkhangelsk, 248—256 [in Russian].
Litovchenko, V.G. (2016). Academician of the NAS of Ukraine Vadym Evgenovych Lashkaryov: the Outstanding Physicist of the 20th Century, the Discoverer of a p-n-Junction Ukrainian Journal of Physics, 61 (2), 181. https://doi.org/10.15407/ujpe61.02.0181 [in Ukrainian].
Keselbrenner, G.L. (1987). Chronicle of one diplomatic career. Diplomat-orientalist S.L. Lashkaryov and his time. Moscow: Nauka [in Russian].
Laschkarew, W. (1926). Zur Theorie der Gravitation. Zeitschrift für Physik, 35 (6), 473—476. https://doi.org/10.1007/BF01385424
Laschkarew, W. (1927). Zur Theorie der Bewegung von Materie und Lichtim Gravitationsfelde. Zeitschrift für Physik, 44 (4—5), 361—368. https://doi.org/10.1007/BF01391203
Laschkarew, W. (1927). Ableitung des Fresnelschen Mitführungskoeffi zienten aus der Lichtquantentheorie. Zeitschrift für Physik, 44 (4—5), 359—360. https://doi.org/10.1007/BF01391202
Linnik, W., & Laschkarew, W. (1926). Die Bestimmung des Brechungsindex der Röntgenstrahlenaus der Erscheinung der Totalreflexion. Zeitschrift für Physik. 38 (9—10), 659—671. https://doi.org/10.1007/BF01397358
Linnik, V.P., & Lashkarev, V.E. (1926). Methods of fixation of x-ray changes. Ukr. Phys. Zap., 1, 5—8 [in Ukrainian].
Linnik, V.P., & Lashkarev, V.E. (1927). Significance of the indicator of broken x-ray changes from the manifestations of a splendid mid-battle. Ukr. Phys. Zap., 2, 3—11 [in Ukrainian].
Lashkaryov, V. (1927). Introduction to the theory of the movement of matter and light in the gravitational field. Ukr. Phys. Zap., 1 (2), 12—21 [in Ukrainian].
Laschkarew, W., & Kuzmin, G. (1934). Effect of Temperature on Diffraction of Slow Electrons and its Application. Nature, 134, 62. https://doi.org/10.1038/134062a0
Laschkarew W.E. (1930). Zur Struktur AlCl3. Zeitschrift für Physik, 193 (3), 270—276. https://doi.org/10.1002/zaac.19301930123
Laschkarew W., & Alichanian A. (1931). Asterismus der Laueaufnahmen des Steinsalzes und innere Spannungen. Zeitschrift Für Kristallographie — Crystalline Materials, 80 (3—4), 353. https://doi.org/10.1524/zkri.1931.80.1.353
Laschkarew, W.E., Bärengarten, E.W., & Kuzmin, G.A. (1933). Beugunglangsamer Elektronenan Graphiteinkristallen. Zeitschrift für Physik, 85 (9—10), 631—646. https://doi.org/10.1007/BF01331004
Laschkarew, W.E. (1933). Zur Bestimmung des inneren Potentials aus Elektronenbeugung. Zeitschrift für Physik, 86 (11—12), 797—801. https://doi.org/10.1007/BF01337882
Laschkarew, W.E. (1934). Uber die Bestimmung des Ganges des inneren Potentials in einem Kristallgitteraus den Abweichungenvom Braggschen Gesetzbei Elektronenbeugung. II. Teil. Zeitschrift für Physik, 89 (11—12), 820—825. https://doi.org/10.1007/bf01341395
Laschkarew, W.E. (1935). Inner potentials of crystals and the electron diffraction. Trans. Faraday Soc., 31, 1081—1095. https://doi.org/10.1039/TF9353101081
Lashkarev, V.E. (1933). Diffraction of electrons. Problems of Advanced Physics. Leningrad; Moscow: GTTI [in Russian].
Lashkarev, V. (1940). Branching of current in the nerve trunk. Bull. Experim. Biol. and Med., 9 (2—3), 99—102 [in Russian].
Lashkarev V., & Mertsalova, S.M. (1940). The laws of irritation and the electric resistance of the medullat based on capacitor theory. Bull. Experim. Biol. and Med., 9(2—3), 103—105 [in Russian].
Lashkaryov, V. (1940). Nerve adaptation to direct current by second width. Bull. Experim. Biol. and Med., 9 (5), 345—347 [in Russian].
Bardeen, J., & Brattain, W.H. (1998). The transistor, a semiconductor triode. Proc. IEEE, 86, 29.
Guo, B., Liu, T., & Yu C. (2019). Multifunctional quantum thermal device utilizing three qubits. Physical Review E. 99 (3), 032112-1-8.
Khramov, Yu.O. (2017). Solomon Іsakovych Pekar and his academic school (the 100th anniversary since the birthday). Science and Science of Science, 4, 107—121 [in Ukranian]. https://doi.org/10.15407/sofs2017.04.107
Lashkarev, V.E., & Kossonogova, K.M. (1941). Influence of impurities on the rectifier photoeffect in cuprous-oxide. J. of Phys. USSR, 4 (1—2), 174—189.
Saha, A., Nia, S.S., & Rodríguez, J.A. (2022). Electron Diffraction of 3D Molecular Crystals. Chemical Reviews, 122 (17), 13883—13914. https://doi.org/10.1021/acs.chemrev.1c00879
Varga, Z., Kolonits, M., & Hargittai, M. (2012). Comprehensive study of the structure of aluminum trihalides from electron diffraction and computation. Structural Chemistry, 23 (3), 879—893. https://doi.org/10.1007/s11224-011-9943-4
Wang, G., & Mudring A.-V. (2016). The missing hydrate AlF3·6H2O [Al(H2O)6] F3: Ionothermal synthesis, crystal structure and characterization of aluminum fluoride hexahydrate. Solid State Sciences, 61, 58—62. https://doi.org/10.1016/j.solidstatesciences.2016.09.007
Adekunle, B.A., & Adeniyi O.S. (2012). Effects of aluminium chloride exposure on the histology of spleen of Wistar rats. Research Journal of Medical Science,6 (6), 275— 280. URL: https://docsdrive.com/pdfs/medwelljournals/rjmsci/2012/275-280.pdf
Andrew, J.S. Hamilton, Jason P. Lisle. (2008). The river model of black holes. American Journal of Physics, 76 (6), 519—532. https://doi.org/10.1119/1.2830526
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2023 Наука та наукознавство
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
