Науковий внесок Вадима Євгеновича Лашкарьова у розвиток фізики і техніки напівпровідників (до 120-річчя від дня народження)
DOI:
https://doi.org/10.15407/sofs2023.03.166Ключові слова:
В.Є. Лашкарьов, дифракція електронів, p-n перехід, фізика і техніка напівпровідників, Інститут напівпровідників АН УРСРАнотація
Стаття присвячена дослідженню та популяризації життєвого і творчого шляху дійсного члена Академії наук УРСР Вадима Євгеновича Лашкарьова, видатного українського вченого у галузі фізики і техніки напівпровідників. Її мета — показати видатні успіхи В.Є. Лашкарьова в науковій, технічній та науково-організаційній діяльності на території України. Джерельну базу дослідження склали наукові публікації вченого, його колег і учнів у галузі фізики дифракції електронів, фотоелектричних явищ, фізики росту монокристалічних напівпровідників, вивчення транспорту носіїв заряду в напівпровідниках p- та n- типу. В основу методології дослідження покладено принципи історизму, об’єктивності та достовірності; використано спеціальні історичні методи: класифікації, синтезу, аналізу, проблемно-хронологічний, порівняльно-історичний. Показано, що наукова діяльність В.Є. Лашкарьова складалась із чотирьох основних періодів: перший період — становлення творчого потенціалу (1924—1935), другий — випробування під час архангельського заслання (1935—1939), третій — досягнення творчої зрілості (1939—1944) та четвертий — творчий розвиток і створення інтелектуальної спадщини (1945—1970). Наведено результати наукометричного аналізу профілю В.Є. Лашкарьова в базі даних Web of Science, зокрема дані щодо цитування його статей в останні роки, які свідчать, що праці вченого залишаються актуальними і сьогодні. Розкрито роль ученого у створенні Інституту напівпровідників АН УРСР та утвердженні демократичних засад управління установою, яких дотримуються його послідовники й донині. Показано, що видатні лідерські та організаторські риси дали В.Є. Лашкарьову змогу закласти основи власної інтелектуальної спадщини в Києві в 40—70-х роках минулого століття: 1) наукову школу теоретичної та експериментальної фізики напівпровідників; 2) кафедру фізики напівпровідників Київського університету імені Т.Г. Шевченка; 3) Інститут напівпровідників АН УРСР.
Посилання
Лашкарёв B.E. Исследования запорного слоя методом термозонда. Изв. АН СССР. Сер. физ. 1941. Т. 5. № 4—5. С. 442—456.
Lashkarev V.E. Investigation of the barrier layer. J. of Phys. USSR. 1941. No. 4 (1— 2). P. 172—173.
Bardeen J., Brattain W.H. The transistor, a semi-conductor triode. Phys. Rev. 1948. No. 74. Р. 230—231. https://doi.org/10.1103/PhysRev.74.230
Brattain W.H., Bardeen J. Nature of the Forward Current in Germanium Point Contacts. Phys. Rev. 1948. No. 74. Р. 231—232. https://doi.org/10.1103/PhysRev.74.231
Shockley W. The Theory of p-n Junctions in Semiconductors and p-n Junction Transistors. Bell labs Technical Journal. 1949. No. 28 (3). P. 435—489. https://doi.org/10.1002/j.1538-7305.1949.tb03645.x
Григор’єв М.М., Кравецький М.Ю., Матіюк І.М., ОніщенкоВ.Ф., СукачА.В., Тетьоркін В.В. Олександр Генріхович Гольдман — засновник фізики та техніки напівпровідників в Україні (Огляд. Частина І). Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2019. № 54. C. 5—50. https://doi.org/10.15407/iopt.2019.54.005
Григор’єв М.М., Кравецький М.Ю., Матіюк І.М., Оніщенко В.Ф., Сукач А.В., Тетьоркін В.В. Академік О.Г. Гольдман у засланні. Тривалий і важкий шлях повернення в Україну (Огляд. Частина ІІ). Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2020. № 55. C. 9—47. https://doi.org/10.15407/iopt.2020.55.009
Лень А.Е. Вадим Евгеньевич Лашкарёв: первый директор ИФП НАН Украины. Киев, 2010. 108 с.
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України 1960—2020 / Ред. Бєляєв О.Є., Кладько В.П., Смертенко П.С., Солнцев В.С., Кінько Т.А., Кияк Ю.П. Київ: Академперіодика, 2020. 290 с. https://doi.org/10.15407/akademperiodyka.413.290
Мачулін В. Напівпровідники в усіх вимірах (Інституту фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України — 50 років). Вісник НАН України. 2010. № 10. С. 42—46. URL: http://visnyk-nanu.org.ua/uk/node/2027
Боголюбов Н.Н., Вул Б.М., Калашников С. Г., Пекар С.И., Рашба Э.И., Снитко О.В. и др. Памяти Вадима Евгеньевича Лашкарёва. Успехи физических наук. 1975. № 117 (10). С. 377—379. https://doi.org/10.3367/UFNr.0117.197510g.0377
Амосов Н.М. Голоса времен. 1937 г. Профессор Лашкарёв. «Другая физика». Квартира. Киев: Оранта-Пресс, 1998. 491 с.
Малиновський Б.М. Відоме та невідоме в історії інформаційних технологій. Вісник НАН України. 2001. № 1. С. 40—54.
Андреева А.В., Андреев К.В. 110 лет со дня рождения академика Вадима Евгеньевича Лашкарёва (1903—1974). Юбилейные и памятные даты медицины и здравоохранения Архангельской области за 2013 год. Архангельск, 2013. С. 248—256.
Литовченко В.Г. Академік НАН України Вадим Євгенович Лашкарьов — видатний фізик XX століття, першовідкривач p-n-переходу. Український фізичний журнал. 2016. Т. 16. № 2. С. 187—190. https://doi.org/10.15407/ujpe61.02.0181
Кессельбреннер Г.Л. Хроника одной дипломатической карьеры. Дипломат-востоковед С.Л. Лашкарёв и его время. Москва: Наука, 1987. 280 с.
Laschkarew W. Zur Theorie der Gravitation. Zeitschrift für Physik. 1926. Vol. 35. Is. 6. P. 473—476. https://doi.org/10.1007/BF01385424
Laschkarew W. Zur Theorie der Bewegung von Materie und Lichtim Gravitationsfelde. Zeitschrift für Physik. 1927. Vol. 44. Is. 4—5. P. 361—368. https://doi.org/10.1007/BF01391203
Laschkarew W. Ableitung des Fresnelschen Mitführungskoeffizienten aus der Lichtquantentheorie. Zeitschrift für Physik. 1927. Vol. 44. Is. 4—5. P. 359—360. https://doi.org/10.1007/BF01391202
Linnik W., Laschkarew W. (1926). Die Bestimmung des Brechungsindex der Röntgenstrahlenaus der Erscheinung der Totalreflexion. Zeitschrift für Physik. 1926. Vol. 38. Is. 9—10. P. 659—671. https://doi.org/10.1007/BF01397358
Лінник В.П., Лашкарьов В.Є. Методи фокусування рентгенівських променів. Укр. Фіз. Зап. 1926. Т. 1. С. 5—8.
Лінник В.П., Лашкарьов В.Є. Знаходження показника заломлення рентгенівських променів з явищ цілковитого середового відбиття. Укр. Фіз. Зап. 1927. Т. 1. Зшиток 2. С. 3—11.
Лашкарьов В.Є. До теорії руху матерії та світла в гравітаційному полі. Укр. Фіз. Зап. 1927. Т. 1. Зшиток 2. С. 12—21.
Laschkarew W., Kuzmin G. Effect of Temperature on Diffraction of Slow Electrons and its Application. Nature. 1934. No. 134. P. 62. https://doi.org/10.1038/134062a0
Laschkarew W.E. Zur Struktur AlCl3. Zeitschrift für Physik. 1930. Vol. 193. Is. 3. P. 270—276. https://doi.org/10.1002/zaac.19301930123
Laschkarew W., Alichanian A. Asterismus der Laueaufnahmen des Steinsalzes und innere Spannungen. Zeitschrift Für Kristallographie — Crystalline Materials. 1931. Vol. 80. Is. 3—4. Р. 353. https://doi.org/10.1524/zkri.1931.80.1.353
Laschkarew W.E., Bärengarten E.W., Kuzmin G.A. Beugunglangsamer Elektronenan Graphiteinkristallen. Zeitschrift für Physik. 1933. Vol. 85. Is. 9—10. P. 631—646. https://doi.org/10.1007/BF01331004
Laschkarew W.E. Zur Bestimmung des inneren Potentials aus Elektronenbeugung. Zeitschrift für Physik. 1933. Vol. 86. Is. 11—12. Р. 797—801. https://doi.org/10.1007/BF01337882
Laschkarew W.E. Uber die Bestimmung des Ganges des inneren Potentials in einem Kristallgitteraus den Abweichungenvom Braggschen Gesetzbei Elektronenbeugung. II. Teil. Zeitschrift für Physik. 1934. Vol. 89. Is. 11—12. P. 820— 825. https://doi.org/10.1007/bf01341395
Laschkarew W.E. Inner potentials of crystals and the electron diffraction. Trans. Faraday Soc. 1935. Vol. 31. Р. 1081—1095. https://doi.org/10.1039/TF9353101081
Лашкарёв В.Е. Дифракция электронов. Под общ. ред. акад. А.Ф. Иоффе, проф. С.Ф. Васильева, Д.З. Будницкого. Проблемы новейшей физики. Ленинград; Москва: ГТТИ, 1933. 127 с.
Лашкарёв В.Е. О ветвлении тока в нервном стволе. Бюлл. Экспер. Биол. и Мед. 1940. Т. 9. № 2—3. С. 99–102.
Лашкарёв В.Е., Мерцалова С.Н. Законы раздражения и электрическое сопротивление мякотного нерва в свете конденсаторной теории. Бюлл. Экспер. Биол. и Мед. 1940. Т. 9. № 2—3. С. 103—105.
Лашкарёв В.Е. Адаптация нерва к постоянному току секундной длительности. Бюлл. Экспер. Биол. и Мед. 1940. Т. 9. № 5. С. 345—347.
Bardeen J., Brattain W.H. The transistor, a semiconductor triode. Proc. IEEE. 1998. No. 86. P. 29.
Guo B., Liu T., Yu C. Multifunctional quantum thermal device utilizing three qubits. Physical Review E. 2019. Vol. 99. Is. 3. P. 032112-1-8.
Храмов Ю.О. Соломон Ісакович Пекар і його наукова школа (до 100-річчя від дня народження). Наука та наукознавство. 2017. №. 4. С. 107—121. https://doi.org/10.15407/sofs2017.04.107
Lashkarev V.E., Kossonogova K.M. Influence of impurities on the rectifier photoeffect in cuprous-oxide. J. of Phys. USSR. 1941. Vol. 4. No. 1—2. P. 174—189.
Saha A., Nia S.S., Rodríguez J.A. Electron Diffraction of 3D Molecular Crystals. Chemical Reviews. 2022. Vol. 122 (17). P. 13883—13914. https://doi.org/10.1021/acs.chemrev.1c00879
Varga Z., Kolonits M., Hargittai M. Comprehensive study of the structure of aluminum trihalides from electron diffraction and computation. Structural Chemistry. 2012. Vol. 23 (3). P. 879—893. https://doi.org/10.1007/s11224-011- 9943-4
Wang G., Mudring A.-V. The missing hydrate AlF3 ·6H2 O[Al(H2 O)6 ]F3 : Ionothermal synthesis, crystal structure and characterization of aluminum fluoride hexahydrate. Solid State Sciences. 2016. Vol. 61. P. 58—62. https://doi.org/10.1016/j. solidstatesciences.2016.09.007
Adekunle B.A., Adeniyi O.S. Effects of aluminium chloride exposure on the histology of spleen of Wistar rats. Research Journal of Medical Science. 2012. Vol. 6 (6). P. 275—280. URL: https://docsdrive.com/pdfs/medwelljournals/rjmsci/2012/275-280.pdf
Andrew J.S. Hamilton, Jason P. Lisle. The river model of black holes. American Journal of Physics. 2008. Vol. 76 (6). P. 519—532. https://doi.org/10.1119/1.2830526
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2024 Наука та наукознавство
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
