До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉
DOI:
https://doi.org/10.15407/dopovidi2019.05.067Ключові слова:
германій, кремній, параметр анізотропії рухливості, тензоопірАнотація
У рамках теорії анізотропного розсіяння для багатодолинних напівпровідників n-Ge та n-Si одержано корисні для практичного застосування вирази, які дають змогу розраховувати значення тензоопору в насиченні для кристалографічних напрямків, де цей ефект незначний, за результатами вимірювання тензоопору в інших кристалографічних напрямках, де вказаний ефект значний за величиною.
Завантаження
Посилання
Baranskii, P. I., Fedosov, A. V. & Gaidar, G. P. (2000). Physical properties of silicon and germanium crystals in the fields of effective external influence. Lutsk: Nadstyria (in Ukrainian).
Kikoin, I. K. & Lazarev, S. D. (1965). New photopiezoelectric effect in semiconductors. Zhurn. eksperim. i teoret. fiziki, 20, No. 2, pp. 780-781 (in Russian).
Fedosov, S. A., Khvyshchun, M. V. & Shynkaruk, S. V. (2010). Effect of the concentration of impurities on the change in position of the deep level Ec – 0.2 eV under uniaxial elastic deformation in n-Ge 〈Au〉. Nauk. visnyk Volynskoho nats. un-tu im. Lesi Ukrainky. Fiz. nauky, No. 29, pp. 37-43 (in Ukrainian).
Thompson, S., Anand, N., Armstrong, M., Auth, C., Arcot, B., Alavi, M., Bai, P., Bielefeld, J., Bigwood, R., Brandenburg, J., Buehler, M., Cea, S., Chikarmane, V., Choi, C., Frankovic, R., Ghani, T., Glass, G., Han, W., Hoffmann, T., Hussein, M., Jacob, P., Jain, A., Jan, C., Joshi, S., Kenyon, C., Klaus, J., Klopcic, S., Luce, J., Ma, Z., Mcintyre, B., Mistry, K., Murthy, A., Nguyen, P., Pearson, H., Sandford, T., Schweinfurth, R., Shaheed, R., Sivakumar, S., Taylor, M., Tufts, B., Wallace, C., Wang, P., Weber, C. & Bohr, M. (2002). A 90 nm logic technology featuring 50 nm strained silicon channel transistors, 7 layers of Cu interconnects, low k ILD, and 1 μm2 SRAM cell. Proceedings of the International Electron Devices Meeting Technical Digest (pp. 61-64), San Francisco. doi: https://doi.org/10.1109/IEDM.2002.1175779
Ghani, T., Armstrong, M., Auth, C., Bost, M., Charvat, P., Glass, G., Hoffmann, T., Johnson, K., Kenyon, C., Klaus, J., McIntyre, B., Mistry, K., Murthy, A., Sandford, J., Silberstein, M., Sivakumar, S., Smith, P., Zawadzki, K., Thompson, S. & Bohr, M. (2003). A 90 nm high volume manufacturing logic technology featuring novel 45 nm gate length strained silicon CMOS transistors. Proceedings of the International Electron Devices Meeting Technical Digest (pp. 978-980), Washington. doi: https://doi.org/10.1109/IEDM.2003.1269442
Nebel, C. E. (2013). Valleytronics: Electrons dance in diamond. Nat. Mater., 12, No. 8, pp. 690-691 doi: https://doi.org/10.1038/nmat3724
Culcer, D., Saraiva, A. L., Koiller, B., Hu, X. & Sarma, S. D. (2012). Valley-based noise-resistant quantum computation using Si quantum dots. Phys. Rev. Lett., 108, No. 12, 26804. doi: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.108.126804
Gaidar, G. P. (2015). Tensoresistance as an information source on mobility anisotropy parameter K = μ⊥/μ|| in multivalley semiconductors and certain new possibilities of deformation metrology. Surf. Eng. Appl. Electrochem., 51, No. 2, pp. 188-195. doi: https://doi.org/10.3103/S1068375515020039
Gaidar, G. P. & Baranskii, P. I. (2014). Thermoelectric properties of transmutation doped silicon crystals. Physica B: Condensed Matter, 441, pp. 80-88. doi: https://doi.org/10.1016/j.physb.2014.02.011
Gaidar, G. P. & Baranskii, P. I. (2014). Concentration dependences of the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μ || and the anisotropy parameter of electron-phonon drag thermopower M = α || ф/α⊥ ф in n-Ge and n-Si. J. Thermoelectricity, No. 5, pp. 21-28.
Fedosov, A. V., Lunov, S. V. & Fedosov, S. A. (2010). Determination of the constant of the deformation potential Ξd in n-Ge by the piezoresistance method. Nauk. visnyk Volynskoho nats. un-tu im. Lesi Ukrainky. Fiz. nauky, No. 6, pp. 38-44 (in Ukrainian).
Budzuliak, S. I. (2012). Tensoresistive effects in the strongly deformed n-Si and n-Ge crystals. Fizyka i khimiia tverdoho tila, 13, No. 1, pp. 34-39 (in Ukrainian).
Gaidar, G. P. (2009). On methodology of measuring parameters with the increased sensitivity to residual or irradiation induced inhomogeneities in semiconductors. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 12, No. 4, pp. 324-327.
Baranskii, P. I., Yelizarov, A. I. & Kolomoets, V. V. (1974). Determination of the characteristic parameters μ || and μ⊥ of the single isoenergetic ellipsoid in multi-valley semiconductors. Fizika i tekhnika poluprovodnikov, 8, No. 1, pp. 200-202 (in Russian).
Baranskii, P. I., Buda, I. S., Dahovskiy, I. V. & Kolomoets, V. V. (1977). Electrical and galvanomagnetic phenomena in anisotropic semiconductors. Kiev: Naukova Dumka (in Russian).
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2024 Доповіді Національної академії наук України
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
