Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів
DOI:
https://doi.org/10.15407/dopovidi2018.06.058Ключові слова:
германій, домішка миш'яку, концентрація носіїв заряду, мікроструктура, рухливість носіїв заряду, сильне легування, термічні відпалиАнотація
Встановлено особливості змін електрофізичних параметрів та мікроструктури легованих домішкою миш'яку монокристалів n-Ge, які відбувалися при термовідпалах у широкому інтервалі температур. Одержані залежності концентрації та рухливості носіїв заряду від температури відпалу пояснено процесами перебудови домішкових комплексів у сильно легованих кристалах германію, вирощених методом Чохральського.
Завантаження
Посилання
Gaidar, G.P. (2015). The Kinetics of Electronic Processes in Si and Ge in the Fields of External Influences. Saarbrücken: LAP LAMBERT Academic Publishing (in Russian).
Gotra, Z.Yu. (1991). Technology of Microelectronic Devices. Handbook. Moscow: Radio i svyaz' (in Russian).
Baranskii, P.I., Fedosov, A.V. & Gaidar, G.P. (2007). Heterogeneities of Semiconductors and Urgent Problems of the Interdefect Interaction in the Radiation Physics and Nanotechnology. Kiev—Lutsk: Lutsk State Technical Univ. (in Ukrainian).
Shklovskiy, B.I. & Efros, A.L. (1979). Electronic Properties of Doped Semiconductors. Moscow: Nauka (in Russian).
Fistul', V.I. (2004). Atoms of Alloying Impurities in Semiconductors (State and Behaviour). Moscow: Publishing house of physical and mathematical literature (in Russian). doi: https://doi.org/10.4324/9780203299258
Baranskii, P.I. & Gaidar, G.P. (2016). Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 19, No. 1, pp. 39-43. doi: https://doi.org/10.15407/spqeo19.01.039
Vigdorovich, E.N. (2014). Polytropy of Impurity in GaAs-Mn System. Izvestiya vysshikh uchebnykh zavedeniy. Elektronika. No. 3 (107), pp. 3-6 (in Russian).
Kritskaya, T.V., Skachkov, V.A. & Panchenko, O.V. (2005). Polytropy of boron impurity in single crystals of silicon grown by the Czochralski method. Proc. of the Xth Sci.-Technical Conf. of the Students, Graduate Students and Lecturers of Zaporizhia State Engineering Academy (ZSEA). Zaporizhzhya: EPD ZSEA. Part 1, p. 24 (in Russian).
Baranskii, P.I., Belyaev, O.Ye., Gaidar, G.P., Klad'ko, V.P. & Kuchuk, A.V. (2014). Problems of Diagnostics of Real Semiconductor Crystals. Kiev: Naukova Dumka (in Ukrainian).
Baranskii, P.I., Fedosov A.V. & Gaidar, G.P. (2000). Physical Properties of Silicon and Germanium Crystals in the Fields of Effective External Influence. Lutsk: Nadstyr'ya (in Ukrainian).
Hirth, J.P. & Lothe, J. (1982). Theory of Dislocations. 2nd ed. Malabar, Florida: Krieger Publishing Company.
Groza, A.A., Litovchenko, P.G. & Starchyk, M.I. (2006). Effects of Radiation in the Infrared Absorption and Structure of Silicon. Kiev: Naukova Dumka (in Ukrainian).
Pavlyk, B., Didyk, R., Shykoriak, Y., Lys R., Slobodzian, D., Grypa, A. & Chehil', I. (2011). Some features of the chemical etching of monocrystalline silicon surfaces. Electronics and information technologies, No. 1, pp. 50-59 (in Ukrainian).
Sangval, K. (1987). Etching of Crystals: Theory, Experiment, and Application. Netherlands, Amsterdam: North Holland Publishing Company.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2024 Доповіді Національної академії наук України
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
