Вплив iзовалентної домiшки Ge i термовiдпалiв на електрофiзичнi властивостi кристалiв кремнiю
DOI:
https://doi.org/10.15407/dopovidi2016.07.062Ключові слова:
кремнiй, iзовалентна домiшка, германiй, термовiдпал, опромiнення, швидкi нейтрони, радiацiйна стiйкiстьАнотація
У зразках Cz−Si n-типу, легованих iзовалентною домiшкою германiю, виявлено суттєве зниження ефективностi утворення термодонорiв у процесi термовiдпалiв, а також встановлено пiдвищення радiацiйної стiйкостi приблизно на порядок при опромiненнi nSi ⟨Ge⟩ швидкими нейтронами реактора.
Завантаження
Посилання
Baranskii P. I., Fedosov A. V., Gaidar G. P. Heterogeneities of semiconductors and urgent problems of the interdefect interaction in the radiation physics and nanotechnology, Kyiv–Lutsk: Lutsk State Technical University, 2007 (in Ukrainian).
Mil’vidskii M. G., Rytova N. S., Solov’eva E. V. The problems of crystallography: To 100-th anniversary of acad. A. V. Shubnikov, Моscow: Nauka, 1987: 215–232 (in Russian).
Brinkevich D. I., Markevich V. P., Murin L. I., Petrov V. V. Fizika i tekhnika poluprovodnikov, 1992, 26, No 4: 682–690 (in Russian).
Babich V. M., Valakh M.Ya., Kovalchuk V. B., Rudko G.Yu., Shakhraychuk N. I. Phys. Stat. Sol. (A),
, 117, No 2: K185–K188.
Babich V. M., Baran N. P., Zotov K. I., Kiritsa V. L., Kovalchuk V. B. Fizika i tekhnika poluprovodnikov,
, 29, No 1: 58–64 (in Russian).
Babich V. M., Bletskan N. I., Venger Е. F. Oxygen in silicon single crystals, Kiev: Interpres LТD, 1997
(in Russian).
Babich V. M., Baran N. P., Bugai A. A., Zotov K. I., Maximenko V. M. Ukr. J. Phys., 1992, 37, No 10:
–1556 (in Russian).
Gribov B. G., Bletskan N. I. Large single crystals of silicon, problems and perspectives of development.
Abstracts of the 1 st All-Union Conf. of “Physical and physico-chemical fundamentals of microelectronics”,
Vilnyus, Lithuania, 1987: 29–31 (in Russian).
Khirunenko L. I., Shakhovtsov V. I., Shinkarenko V. K., Shpinar L. I., Yaskovets I. I. Fizika i tekhnika poluprovodnikov, 1987, 21, No 3: 562–565 (in Russian).
Khirunenko L. I., Shakhovtsov V. I., Shumov V. V. Fizika i tekhnika poluprovodnikov, 1998, 32, No 2: 132–134 (in Russian).
Watkins G. D. IEEE Trans. Nucl. Sci., 1969, 16, No 6: 13–18.
Budtz-Jorgensen C. V., Kringhoj P., Larsen N. A., Abrosimov N. V. Phys. Rev. B, 1998, 58, No 3: 1110–1113.
Pomozov Yu. V., Sosnin M. G., Khirunenko L. I., Yashnik V. I., Abrosimov N. V., Shreder V., Khene M. Fizika i tekhnika poluprovodnikov, 2000, 34, No 9: 1030–1034.
Dolgolenko A. P., Litovchenko P. G., Varentsov M. D., Gaidar G. P., Litovchenko A. P. Phys. Stat. Sol. (B), 2006, 243, No 8: 1842–1852.
Goedecker S., Deutsch Th., Billard L. Phys. Rev. Lett., 2002, 88, No 23: 235501–235505.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2024 Доповіді Національної академії наук України
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
