Чарівні подорожі в блакитне світло
DOI:
https://doi.org/10.15407/visn2015.02.037Ключові слова:
блакитні оптичні діоди, Нобелівська премія, І. Акасакі, Х. Амано, С. НакамураАнотація
Нобелівську премію з фізики 2014 року було присуджено Ісаму Акасакі (Isamu Akasaki), Хіросі Амано (Hiroshi Amano) і Сюдзі Накамурі (Shuji Nakamura) за розроблення блакитних оптичних діодів, які дозволили впровадити яскраві та енергоощадні джерела світла.
Посилання
Lashkarev V.Ye. Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 1941. 5(4–5): 442.
Jezowski A., Danilchenko B., Bockowski M., Grzegory I., Krukowski S., Suski T. Thermal conductivity of GaN crystals in 4.2–300 K range. Solid State Commun. 2003. 128(2): 69. http://doi.org/10.1016/S0038-1098(03)00629-X
Danilchenko B.A., Paszkiewicz T., Wolski S., Jeżowski A., Plackowski T. Heat capacity and phonon mean free path of wurzite GaN. Appl. Phys. Lett. 2006. 89: 061901. http://doi.org/10.1063/1.2335373
Sukach G.A., Smertenko P.S., Oleksenko P.F., Nakamura S. Analysis of the active region of overheating temperature in green LEDs based on Group III nitrides. Technical Physics. 2001. 46(4): 438. http://doi.org/10.1134/1.1365468
Sukach G.A., Smertenko P.S., Oleksenko P.F., Nakamura S. Svetodiody i lazery. 2002. (1–2): 45.
Vitusevich S.A., Danylyuk S.V., Klein N., Petrychuk M.V., Kochelap V.A., Belyaev A.E., Tilak V. Separation of hot-electron and self-heating effects in two-dimensional AlGaN/GaN-based conducting channels. Appl. Phys. Lett. 2003. 82(5): 748. http://doi.org/10.1063/1.1542928
Danilchenko B.A., Zelensky S.E., Drok E., Vitusevich S.A., Danylyuk S.V., Klein N., Luth H., Belyaev A.E., Kochelap V.A. Hot-electron transport in AlGaN/GaN two-dimensional conducting channels. Appl. Phys. Lett. 2004. 85(22): 5421. http://doi.org/10.1063/1.1830078
Belyayeva A.Ye., Konakovoy R.V. Physical diagnostic methods in micro- and nanoelectronics. Kharkov: ISMA, 2011.
Komirenko S.M., Kim K.W., Kochelap V.A., Zavada J.M. Enhancement of hole injection for nitride-based light-emitting devices. Solid-State Electronics. 2003. 47: 169. http://doi.org/10.1016/S0038-1101(02)00314-3
Zavada J.M., Komirenko S.M., Kim K.W., Kochelap V.A. Efficient nitride-based short-wavelength emitters with enhanced hole injection. Institute of Physics: Conference Series. 2003. 174: 401.
Komirenko S.M., Kim K.W., Kochelap V A., Zavada J.M. Laterally doped heterostructures for III–N lasing devices. Appl. Phys. Lett. 2002. 81(24): 4617. http://doi.org/10.1063/1.1527985
