Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge таn-Si
DOI:
https://doi.org/10.15407/dopovidi2017.05.045Ключові слова:
германій, концентрація домішок, кремній, параметр анізотропії термо-ЕРСАнотація
При Т = 85 K на кристалах n-Ge та n-Si досліджено концентраційні залежності параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами у
M=αФII/αФ⊥
у широкому інтервалі концентрацій
(1,9 ⋅ 1012 ≤ne ≡ N1 ≤ 4,6 ⋅ 1017 см−3)
Показано, що в n-Ge (на відміну від n-Si) параметр М є малочутливим до наявності домішок у кристалах аж до концентрацій
∼1015 см−3
Завантаження
Посилання
Gaidar, G. P. & Baranskii, P. I. (2014). Thermoelectric properties of transmutation doped silicon crystals. Physica B: Condensed Matter, 441, pp. 80-88. https://doi.org/10.1016/j.physb.2014.02.011
Barans'kyi, P. I., Bieliaiev, O. Ye., Gaidar, G. P., Klad'ko, V. P. & Kuchuk, A. V. (2014). Problems of diagnosis actual semiconductor crystals. Kiev: Naukova Dumka (in Ukrainian).
Gaidar, G. & Baranskii, P. (2015). Optimization of the thermoelectric figure of merit in the transmutationdoped and ordinary n-Si crystals. Phys. Status Solidi A, 212, No. 10, pp. 2146-2153. https://doi.org/10.1002/pssa.201532160
Herring, C., Geballe, T. H. & Kunzler, J. E. (1959). Analysis of Phonon-Drag Thermomagnetic Effects in n-Type Germanium. Bell System Tech. J., 38, No. 3, pp. 657-747. https://doi.org/10.1002/j.1538-7305.1959.tb03906.x
Baranskiy, P. I., Buda, I. S., Kolomoets, V. V., Samoylovich, A. G. & Sus', B. A. (1974). Study of the anisotropy of the entrainment of electrons by phonons in n-Ge. Fizika i tekhnika poluprovodnikov, 8, No. 11, pp. 2159-2163 (in Russian).
Laff, R. A. & Fan, H. Y. (1958). Magnetoresistance in n-Type Germanium at Low Temperatures. Phys. Rev., 112, No. 2, pp. 317-321. https://doi.org/10.1103/physrev.112.317
Gaidar, G. P. (2013). Mechanisms of the Anisotropy Formation of Thermoelectric and Thermomagnetic Phenomena in the Multi-valley Semiconductors. Fizyka i khimiia tverdogo tila, 14, No. 1, pp. 7-20 (in Ukrainian).
Baranskiy, P. I., Buda, I. S., Dakhovskiy, I. V. & Kolomoets, V. V. (1977). Electrical and galvanomagnetic phenomena in anisotropic semiconductors. Kiev: Naukova Dumka (in Russian).
Bonch-Bruevich, V. L. & Kalashnikov, S. G. (1977). Physics of semiconductors. Moskva: Nauka (in Russian).
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2024 Доповіді Національної академії наук України
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
