Вплив високотемпературного вiдпалу на параметри анiзотропiї рухливостi i анiзотропiї термо-ЕРС захоплення електронiв фононами в n−Si
DOI:
https://doi.org/10.15407/dopovidi2014.05.070Ключові слова:
Вплив високотемпературного вiдпалу на параметри анiзотропiї рухливостi i анiзотропiї термо-ЕРС захоплення електронiв фононами в n−SiАнотація
У дослiдах з кристалами n−Si, легованими домiшкою фосфору через розплав i шляхом ядерної трансмутацiї, дослiджено вплив високотемпературного вiдпалу (при T = 1200 ◦С протягом 2 год) на параметр анiзотропiї рухливостi K=μ⊥/μ∥ i параметр анiзотропiї термо-ЕРС захоплення електронiв фононами M=αph∥/αph⊥. Показано, що в кристалах кремнiю, легованих через розплав, термовiдпал приводить до помiтного зниження величини M, тодi як у трансмутацiйно легованих зразках значення цього параметра збiльшується в ∼1,5 раза. Встановлено, що параметр анiзотропiї рухливостi K в кристалах обох типiв залишається практично незмiнним. Запропоновано пояснення одержаних результатiв.
Завантаження
Посилання
Tanenbaum M., Mills A. D. J. Electrochemical Soc., 1961, 108, No. 2: 171–176. https://doi.org/10.1149/1.2428036
Baranskiy P. I., Bugai A. A., Girii V. A. et al. Transmutational doping of silicon: preparation, physical properties, application. Kyiv: Inst. of Physics, Academy of Sciences of the UkrSSR, 1984 (in Russian).
Vavilov V. S., Ukhin N. A. Radiation effects in semiconductors and semiconductor devices. Moscow: Atomizdat, 1969. – 312 p.
Konozenko I. D., Semeniuk A. K., Khivrich V. I. Radiation effects in silicon. Kyiv: Nauk. dumka,1974 (in Russian).
Smirnov L. S., Solovev S. P., Stas V. F., Kharchenko V. A. Doping of semiconductors by the method of nuclear reactions. Smirnov L. S. (Ed.). Novosibirsk: Nauka, 1981 (in Russian).
Vavilov V. S., Kekelidze N. P., Smirnov L. S. Effect of radiation on semiconductors. Moscow: Nauka, 1988 (in Russian).
Groza A. A., Lytovchenko P. G., Starchyk M. I. The effects of radiation in the infrared absorption and structure of silicon. Kyiv: Nauk. dumka, 2006 (in Ukrainian).
Baranskiy P. I., Klochkov V. P., Potykevich I. V. Semiconductor Electronics. Directory. Kyiv: Nauk. dumka, 1975 (in Russian).
Baryakhtar V. G. Solid State Physics. Encyclopedic Dictionary. Vol. II. Kyiv: Nauk. dumka,1998. (in Russian).
Herrmann H. A., Herzer H. J. Electrochem. Soc., 1975, 122, No. 11: 1568–1569. https://doi.org/10.1149/1.2134070
Miz J. Processes of neutron transmutation doping - a new reactor technology. In: Miz J. (Ed.). Neutron transmutation doping of semiconductors. Solid State Physics News. Iss. 11. (Trans. V. N. Mordkovich). Moscow: Mir, 1982 (in Russian).
Smith T. Neutron doping at research reactors in Harrowell. In: Miz J. (Ed.). Neutron transmutation doping of semiconductors. Solid State Physics News. Iss. 11. (Trans. V. N. Mordkovich). Moscow: Mir, 1982 (in Russian).
Baranskiy P. I., Savyak V. V., Shcherbina L. A. Fizika i tekhnika poluprovodnikov, 1980, 14, No. 2: 302–305 (in Russian).
Baranskiy P. I., Buda I. S., Kolomoets V. V. et al. Fizika i tekhnika poluprovodnikov, 1975, 9, No. 9: 1680-1684 (in Russian).
Baranskiy P. I., Savyak V. V., Shcherbina L. A. Fizika i tekhnika poluprovodnikov, 1980, 14, No. 2: 393-396 (in Russian).
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2025 Доповіді Національної академії наук України
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
