Часткова квазібінарна евтектика в системі B4C–SiC
DOI:
https://doi.org/10.15407/dopovidi2015.12.064Ключові слова:
квазікогерентність, псевдоптенціал, стехіометричний складАнотація
За допомогою квантово-механічних розрахунків на основі методу апріорного псевдопотенціалу доведено, що B4C−SiC є частковою квазібінарною евтектичною системою, де в ряду нерозчинних компонентів (B4C, SiC) присутній вуглець, який пов’язаний зі зміною стехіометричного складу B4C при високих температурах (B12C3 → B13C2).
Завантаження
Посилання
Shaffer P. T. Mater. Res. Bull., 1969, 4, No 3: 213–220. https://doi.org/10.1016/0025-5408(69)90058-0
Hong J. D., Spear K. E., Stubican V. S. Mater. Res. Bull., 1979, 14, No 6: 775–783. https://doi.org/10.1016/0025-5408(79)90137-5
Gunjshima I., Akashi T., Goto T. Mater. Trans., 2002, 43, No 9: 3309–2315.
Zakarian D., Kartuzov V., Kartuzov E., Khachatrian A., Sayir A. J. Eur. Ceram. Soc., 2011, 31, No 7: 1305–1308. https://doi.org/10.1016/j.jeurceramsoc.2011.01.023
Heine Y., Cohen M., Weaire D. The Pseudopotential Concept, New York, London: Academic Press, 1970. https://doi.org/10.1016/s0081-1947(08)60069-7
Zakarian D. A., Kartuzov V. V., Khachatrian A. V. Powder Metallurgy and Metal Ceramics, 2009, 48, No 9–10: 588–594. https://doi.org/10.1007/s11106-010-9172-1
Kittel Ch. Introduction to Solid State Physics., New York: Wiley, 1978.
Zakarian D. A. Dopov. Nac. akad. nauk Ukr., 2014, No 12: 86–90 (in Russian).
Kisliy P. S., Kuzenkova M. A., Bodnaruk N. I., Grabchuk B. L. Boron carbide, Kyiv: Nauk. dumka, 1988 (in Russian).
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2025 Доповіді Національної академії наук України
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
