Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавітаційної обробки в рідкому азоті
DOI:
https://doi.org/10.15407/dopovidi2015.07.070Ключові слова:
III–V напівпровідники ультразвукова кавітація, кремній, формування мікро- і нанорозмірних структур, фотовольтаїкаАнотація
Наведено результати комплексних досліджень ефекту наноструктурування базових напівпровідників оптоелектроніки Si і GaAs, підданих дії УЗ кавітації в рідкому азоті. Встановлено, що обробка напівпровідникових кристалів GaAs та Si ультразвуком (1–6 МГц, 15 Вт/см2), енергія якого концентрується в кавітаційних порожнинах кріогенної рідини, призводить до наноструктурування їх поверхні та розширення діапазону фоточутливості. Наноструктури залежно від типу підкладки мають розміри до ∼11–15 нм для GaAs і від 30 до ∼70 нм – для Si. Розширення діапазону фоточутливості як кремнію, так и арсеніду галію можна пояснити ефектом вбудовування азоту в решітку матриці з утворенням нових сполук.
Завантаження
Посилання
Xu H., Zeiger B.W., Suslick K. S. Chem. Soc. Rev., 2013, 42: 2555–2567. https://doi.org/10.1039/C2CS35282F
Rosenberg L.D. (Ed.), High-intensity ultrasonic fields, New York: Plenum Press, 1971.
Miller D. L. Progress in biophysics and molecular biology, 2007, 93, No 1: 314–330. https://doi.org/10.1016/j.pbiomolbio.2006.07.027
Chemat F., Huma Z.-E., Khan M.K. Ultrasonics Sonochemistry, 2011, 18, No 4: 813–835. https://doi.org/10.1016/j.ultsonch.2010.11.023
Kanegsberg B., Kanegsberg E. (Ed.), Critical cleaning process applications management safety and environmental concerns, Boca Raton: CRC Press, 2011.
Savkina R.K. Recent Patents on Electrical & Electronic Engineering, 2013, 6, No 3: 157–172. https://doi.org/10.2174/22131116113066660008
Arata Y., Zhang Y.-Ch. Appl. Phys. Lett., 2002, 80, No 13: 2416–2418. https://doi.org/10.1063/1.1465110
Nomura S., Toyota H. Appl. Phys. Lett., 2003, 83, No 22: 4503–4505. https://doi.org/10.1063/1.1631062
Khachatryan A.Kh., Aloyan S.G., May P.W., Sargsyan R., Khachatryan V.A., Baghdasaryan V. S. Diamond & Related Materials, 2008, 17: 931–936. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2008.01.112
Savkina R.K., Smirnov A.B. J. Phys. D: Appl. Phys., 2010, 43: 425301. https://doi.org/10.1088/0022-3727/43/42/425301
Savkina R.K. Funct. Materials, 2012, 19, No 1: 38–43.
Savkina R.K., Smirnov A. B. Tech. Phys. Lett., 2015, 41, No 2: 164–167. https://doi.org/10.1134/S1063785015020248
Savkina R.K., Smirnov A.B., Kryshtab T., Kryvko A. Materials Science in Semiconductor Processing, 2015, 37: 179–184. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2015.02.066
Tisch U., Finkman E., Salzman J. Appl. Phys. Lett., 2002, 81: 463–465. https://doi.org/10.1063/1.1494469
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2025 Доповіді Національної академії наук України
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
