Багатократне андріївське відбиття у двовимірному топологічному ізоляторі
DOI:
https://doi.org/10.15407/dopovidi2015.01.065Ключові слова:
відбиття, контакт, розсіювання, транспортАнотація
Електронний транспорт на межі двовимірного топологічного ізолятора між двома надпровідними електродами визначається багатократними андріївськими відбиттями. В роботі пропонується модель такого транспорту з урахуванням андріївського та нормального відображення на контакті та електрон-електрон-домішкового розсіювання на межі. На підставі цієї моделі обчислюються функції розподілу і визначаються характерні особливості, що виникають в результаті зазначених явищ. Отримані результати дозволяють в експерименті визначати співвідношення вкладів від нормального відбиття на надпровідному контакті та від електрон-електрон-домішкового розсіювання на межі, що впливають на квантовий електронний транспорт у топологічному ізоляторі.Завантаження
Посилання
Wu C., Bernevig B. A., Zhang S.-C. Phys. Rev. Lett., 2006, 96: 106401, 4 p.
Konig M., Wiedmann S., Brune C. et al. Science, 2007, 318: 766–770. https://doi.org/10.1126/science.1148047
Knez I., Du R.-R., Sullivan G. Phys. Rev. Lett., 2011, 107: 136603, 4 p.
Roth A., Brune C., Buhmann H. et al. Science, 2009, 325: 294–297. https://doi.org/10.1126/science.1174736
Nowack K. C., Spanton E. M., Baenninger M. et al. Nature Materials, 2013, 12: 787–791. https://doi.org/10.1038/nmat3682
Xu C., Moore J. E. Phys. Rev. B., 2006, 73: 045322, 7 p.
Tanaka Y., Furusaki A., Matveev K. A. Phys. Rev. Lett., 2011, 106: 236402, 4 p.
Schmidt T. L., Rachel S., Oppen F. V., Glazman L. I. Phys. Rev. Lett., 2012, 108: 156402, 5 p.
Vayrynen J. I., Goldstein M., Glazman L. I. Phys. Rev. Lett., 2013, 110: 216402, 5 p.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2024 Доповіді Національної академії наук України
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
