Ефективнiсть генерацiї планарних дiодiв n+−n−n+ з тунельними межами

Автор(и)

  • Е.Д. Прохоров
  • О.В. Боцула
  • О. О. Реутiна

DOI:

https://doi.org/10.15407/dopovidi2014.03.082

Ключові слова:

Ефективнiсть генерацiї планарних дiодiв

Анотація

Розглядаються дiоди n+−n−n+ з тунельними або резонансно-тунельними бiчними межами. Однiєю бiчною межею такого дiода є напiвiзолююча пiдкладка GaAs, на якiй вирощений n-шар. На протилежнiй бiчнiй межi може розташовуватися тунельна або резонансно-тунельна межа кiнцевої протяжностi. Дослiджуються вольт-ампернi та енергетичнi характеристики таких дiодiв у широкому дiапазонi частот мм-дiапазону. Показано, що дiоди n+−n−n+ з тунельними або резонансно-тунельними бiчними межами мають негативну диференцiальну провiднiсть у широкому дiапазонi частот мм-дiапазону i можуть бути використанi для генерацiї та посилення. Показано також, як впливає мiсце розташування i протяжнiсть бiчних меж на енергетичнi та частотнi характеристики дiода

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Посилання

Prokhorov E. D., Botsula O. V. Radiofizika i elektronika, 2010, 15, No. 2: 109– 113 (in Russian).

Prokhorov E. D., Botsula O. V., Klymenko O. A. Dopov. Nac. akad. nauk Ukr. 2012, No. 4: 75–80 (in Russian).

Prokhorov E. D., Botsula O. V., Klymenko O. A. Radiofizika i elektronika, 2011, 16, No. 3: 91–96 (in Russian).

Prokhorov E. D., Botsula O. V., Klymenko O. A. Radiofizika i elektronika, 2012, 17, No. 3: 72-78 (in Russian).

Esaki L. Phys. Rev., 1958, 109: 603–605. https://doi.org/10.1103/PhysRev.109.603

Hall R. N. IRE Trans. Electron Devices, 1960, 7, No. 1: 1–9. https://doi.org/10.1109/T-ED.1960.14584

Sze. S. Physics of Semiconductor Devices: in 2 vols. Vol. 2. Moscow: Mir, 1984 (in Russian).

Prokhorov E. D. Solid-state electronics. Kharkiv: Izd-vo Khark. nac. un-ta im. V. N. Karazina, 2008 (in Russian).

Ivashchenko V. M., Mitin V. V. Modeling of kinetic phenomena in semiconductors. The Monte Carlo Method. Kyiv: Nauk. dumka, 1990 (in Russian).

Neiman L. R., Demirchan K. S. Theoretical bases of electrical engineering. Leningrad: Energoizdat, 1981 (in Russian).

Kasatkin A. S., Nemtsov M. V. Electrical engineering: textbook for universities. Moscow: Vyssh. shkola, 2003 (in Russian).

##submission.downloads##

Опубліковано

11.02.2025

Як цитувати

Прохоров, Е., Боцула, О., & Реутiна О. О. (2025). Ефективнiсть генерацiї планарних дiодiв n+−n−n+ з тунельними межами . Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine, (3), 82–89. https://doi.org/10.15407/dopovidi2014.03.082

Номер

№ 3 (2014): Доповіді Національної академії наук України

Розділ

Фізика

Ліцензія

Авторське право (c) 2025 Доповіді Національної академії наук України

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.