Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe

Автор(и)

  • З.Ф. Цибрій Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Київ

DOI:

https://doi.org/10.15407/dopovidi2019.09.034

Ключові слова:

ІЧ та ТГц детектор, багатошаровий контакт, кадмій—ртуть—телур

Анотація

Наведено технологічні особливості формування двошарових металічних контактів до дискретних приймачів інфрачервоного та терагерцового діапазонів спектра, виготовлених на основі епітаксійних шарів CdHgTe, вирощених на підкладках CdZnTe методом рідкофазної епітаксії. Знайдено оптимальну комбінацію металів (адгезивний шар — струмопровідний шар), які створюють омічний контакт до p- та n-областей CdHgTe в процесі виготовлення дискретних детекторів за планарною технологією. Виміряні вольт-амперні характеристики контактів Mo—Au і Mo—In до епітаксійних шарів р-CdHgTe демонструють лінійний характер як при кімнатній температурі, так і при Т = 80 К.

Завантаження

Посилання

Kinch, M. A. (2014). State-of-the-Art Infrared Detector Technology. Bellingham: SPIE Press. doi: https://doi.org/10.1117/3.1002766

Sizov, F. F. (2008). Photoelectronics for imaging systems. Kyiv: Akademperiodyka (in Russian).

Antoni, Rogalski. (2019). Infrared and Terahertz Detectors. CRC Press, Taylor & Francis Group. doi: https://doi.org/10.1201/b21951

MCT’s Advantages as an Infrared Imaging Material. http://www.leonardodrs.com/media/4279/201306_advantages_of_mct.pdf

Sizov, F. (2018). Terahertz detectors: State of the art. Semicon. Sci. Technol., 33, 123001 (26 рр.). doi: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aae473

Sizov, F., Zabudsky, V., Dvoretskii, S., Petryakov, V., Golenkov, O., Andreyeva, K. & Tsybrii, Z. (2015). Twocolor detector: Mercury-Cadmium-Telluride as a terahertz and infrared detector. Appl. Phys. Lett., 106, pp. 082104-1-182104-4. doi: https://doi.org/10.1063/1.4913590

Dan, Liu, Chun, Lin, Songmin, Zhou & Xiaoning, Hu. (2016). Ohmic Contact of Au/Mo on Hg1-xCdxTe. J. Electr. Mater., 45, No. 6, pp. 2802-2807. doi: https://doi.org/10.1007/s11664-016-4375-y

Capper, Peter & Garland, James. (2011). Mercury Cadmium Telluride: Growth, Properties and Applications. Wiley and Sons. doi: https://doi.org/10.1002/9780470669464

Stafeev, V. I. (2009). Structure and Properties of CdxHg1–xTe-Metal Contacts. FTP., 43, No. 5, pp. 636-639 (in Russian).

https://ctherm.com/resources/blog/summary_of_coefficient_of_linear_expansion_cte/

##submission.downloads##

Опубліковано

24.04.2024

Як цитувати

Цибрій, З. (2024). Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe . Доповіді Національної академії наук України, (9), 34–40. https://doi.org/10.15407/dopovidi2019.09.034