Адсорбційні процеси на поверхні кристалічного кремнію: квантово-хімічний підхід
За матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 21 жовтня 2015 року
DOI:
https://doi.org/10.15407/visn2016.01.098Ключові слова:
теорія функціонала густини, адсорбційні комплекси, молекулярний кисень, квантова точка, атомарний германійАнотація
Сучасним методом квантової хімії (теорія функціонала густини) виконано розрахунки структурних і енергетичних параметрів адсорбційних комплексів О2, Н2О та атомарного германію на чітко структурованій грані Si(001). Добре узгодження теоретично отриманих енергетичних характеристик розглянутих об’єктів з експериментальними даними дає підстави вважати, що їх геометричні параметри, які неможливо встановити дослідним шляхом, вірно відтворюються методами квантової хімії.
Посилання
Waltenburg H.N., Yates J.T. Surface chemistry of silicon. Chem. Rev. 1995. 95(5): 1589. http://doi.org/10.1021/cr00037a600
Schmidt M.W., Baldridge K.K., Boatz J.A., Elbert S.T., Gordon M.S., Jensen J.H., Koseki Sh., Matsunaga N., Nguyen K.A., Su S., Windus T.L., Dupuis M., Montgomery J.A. Jr. General atomic and molecular electronic-structure system. Review. J. Comput. Chem. 1993. 14(11): 1347. http://doi.org/10.1002/jcc.540141112
Parr R.G., Yang W. Density-functional theory of atoms and molecules. (Oxford Univ. Press, 1989).
Becke A.D. Density-functional exchange-energy approximation with correct asymptotic behavior. Phys. Rev. A. 1988. 38(6): 3098. http://doi.org/10.1103/PhysRevA.38.3098
Pchelyakov O.P., Bolkhovityanov Yu.B., Dvurechenskii A.V., Sokolov L.V., Nikiforov A.I., Yakimov A.I., Voigtlander B. Silicon-germanium nanostructures with quantum dots: Formation mechanisms and electrical properties. Semiconductors. 2000. 34(11): 1229. http://doi.org/10.1134/1.1325416
Brunner K. Si/Ge nanostructures. Rep. Prog. Phys. 2002. 65: 27. http://doi.org/10.1088/0034-4885/65/1/202
