Науковий внесок Вадима Євгеновича Лашкарьова у розвиток фізики і техніки напівпровідників (до 120-річчя від дня народження) - Солнцев , В. С.; Смертенко , П. С. (Science and Science of Science, 2023)
Стаття присвячена дослідженню та популяризації життєвого і творчого шляху дійсного члена Академії наук УРСР Вадима Євгеновича Лашкарьова, видатного українського вченого у галузі фізики і техніки напівпровідників. Її мета — показати видатні успіхи В.Є. Лашкарьова в науковій, технічній та науково-організаційній діяльності на території України. Джерельну базу дослідження склали наукові публікації вченого, його колег і учнів у галузі фізики дифракції електронів, фотоелектричних явищ, фізики росту монокристалічних напівпровідників, вивчення транспорту носіїв заряду в напівпровідниках p- та n- типу. В основу методології дослідження покладено принципи історизму, об’єктивності та достовірності; використано спеціальні історичні методи: класифікації, синтезу, аналізу, проблемно-хронологічний, порівняльно-історичний. Показано, що наукова діяльність В.Є. Лашкарьова складалась із чотирьох основних періодів: перший період — становлення творчого потенціалу (1924—1935), другий — випробування під час архангельського заслання (1935—1939), третій — досягнення творчої зрілості (1939—1944) та четвертий — творчий розвиток і створення інтелектуальної спадщини (1945—1970). Наведено результати наукометричного аналізу профілю В.Є. Лашкарьова в базі даних Web of Science, зокрема дані щодо цитування його статей в останні роки, які свідчать, що праці вченого залишаються актуальними і сьогодні. Розкрито роль ученого у створенні Інституту напівпровідників АН УРСР та утвердженні демократичних засад управління установою, яких дотримуються його послідовники й донині. Показано, що видатні лідерські та організаторські риси дали В.Є. Лашкарьову змогу закласти основи власної інтелектуальної спадщини в Києві в 40—70-х роках минулого століття: 1) наукову школу теоретичної та експериментальної фізики напівпровідників; 2) кафедру фізики напівпровідників Київського університету імені Т.Г. Шевченка; 3) Інститут напівпровідників АН УРСР.